國(guó)內(nèi)外最常用的三種接觸式測(cè)溫元件是熱電偶、電阻溫度計(jì)（RTD）和NTC熱敏電阻。熱電偶的工作溫度范圍寬，但易受噪聲影響，漂移較高，500℃以下測(cè)量精度及穩(wěn)定性較差。NTC熱敏電阻靈敏度高，但穩(wěn)定性差、線性與互換性差，阻值偏差大。遠(yuǎn)距離、非接觸式測(cè)溫中用得多的是紅外溫度傳感器，但它受水氣、煙霧、塵霧、塵埃等影響較大，這些都不適合環(huán)境惡劣的軍用傳感器性能要求。在低、中溫段，以電阻溫度計(jì)的線性最好，尤其是鉑熱電阻，憑借其上好的線性和無(wú)與倫比的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，確立了作為溫度參考傳遞國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的地位。所以，高精度、高穩(wěn)定性的軍用傳感器基本都是采用的鉑熱電阻溫度傳感器。

鉑熱電阻的制作工藝一般采用的是絲式、箔式、厚膜式。絲式鉑電阻是在平板形式支架用直徑為0.03~0.07mm純鉑絲繞制而成，精度高，但抗振動(dòng)和抗沖擊性能差，可靠性低，且體積大，不利于向微型化方向發(fā)展。箔式鉑電阻雖然抗振動(dòng)沖擊性能有所改善，但具有耐濕性差，絕緣性能低的缺點(diǎn)。鉑膜熱電阻的優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在：1)穩(wěn)定性好，抗振動(dòng)，抗沖擊；2）體積小，重量輕，便于微型化；3）精度高，壽命長(zhǎng)。

國(guó)內(nèi)鉑膜熱電阻的研究起步較晚，在電阻的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、線性度等技術(shù)性能和可生產(chǎn)性方面，與國(guó)外同類型產(chǎn)品還有很大的差距。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上絕大部分的高精度鉑膜熱電阻都依賴進(jìn)口，這對(duì)我國(guó)工業(yè)技術(shù)與國(guó)防事業(yè)的發(fā)展都很不利。國(guó)外對(duì)高精度鉑熱電阻的研制主要集中在鉑膜熱電阻上。如瑞典的IRON公司、德國(guó)賀利氏（Heraeus）公司、美國(guó)霍尼韋爾公司，德國(guó)賀利氏的高精度鉑膜電阻的代表有L020、L420。國(guó)外對(duì)高精度產(chǎn)品的開發(fā)投入相當(dāng)大，美國(guó)霍尼韋爾公司的固態(tài)傳感器發(fā)展中心每年用于設(shè)備投資就達(dá)5000萬(wàn)美元，目前擁有包括計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)、單晶生長(zhǎng)、加工、圖形發(fā)生器，對(duì)步重復(fù)照像、自動(dòng)涂膠和光刻、等離子刻蝕、濺射、擴(kuò)散、外延、蒸鍍、離子注入、化學(xué)氣相沉積、掃描電鏡、封裝和屏蔽動(dòng)態(tài)測(cè)試等最先進(jìn)的成套設(shè)備和生產(chǎn)線，而且是大約每三年左右就要更新其中大部分儀器設(shè)備。

通過先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)制作的薄膜鉑熱電阻是新型的高精度溫度敏感元件，國(guó)外軍事上普遍使用。它的主要工作原理是利用鉑電阻的阻值隨溫度變化而變化，并呈一定函數(shù)關(guān)系的特性來(lái)進(jìn)行測(cè)溫，這種溫敏元件能直接測(cè)量-60℃～+600℃范圍內(nèi)的液體、氣體介質(zhì)以及固體表面的溫度。如日本產(chǎn)的CRZ鉑金薄膜熱電阻芯片就是一個(gè)劃時(shí)代溫度傳感器發(fā)展的產(chǎn)物。這種薄膜鉑熱電阻元件采用的是最先進(jìn)高科技方法，像激光噴鍍，顯微照相和平版印刷光刻技術(shù)，用陶瓷和鉑特制而成，而電阻值則以數(shù)字修整方式作出微調(diào)，因而能提供最精確的電阻值，產(chǎn)品精度達(dá)到了A級(jí)和B級(jí)。該電阻元件在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50℃～400℃的溫度下使用。鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而鉑膜熱電阻元件具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性能，薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。本文源自澤天傳感，轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留出處。